文章分類: 功率

氧化鎵(Ga?O?):新興材料的無限潛力

作者 | 發布日期: 2025 年 01 月 31 日 17:59 |
| 分類: 功率
隨著半導體技術的飛速發展,寬禁帶半導體材料逐漸成為未來技術的關鍵,而氧化鎵(Ga?O?)正是其中的佼佼者。憑借其優異的特性,氧化鎵正在改變功率電子器件和光電探測領域的格局。 氧化鎵的定義氧化鎵(Gallium Oxide,Ga?O?)是一種化學式為 Ga?O? 的無機化合物,是鎵...  [詳內文]

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功

作者 | 發布日期: 2025 年 01 月 22 日 17:19 |
| 分類: 功率
1月21日,中科院微電子研究所發布消息稱,我國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功。該所劉新宇、湯益丹團隊和中國科學院空間應用工程與技術中心劉彥民團隊等開展合作,成功研制出首款國產高壓抗輻射碳化硅(SiC)功率器件及其電源系統。 這一突破標志著我國在半導體功率器件領域邁向新高度。...  [詳內文]

2025開年,一批碳化硅項目刷新進度

作者 | 發布日期: 2025 年 01 月 22 日 17:14 |
| 分類: 功率
2025開年,碳化硅產業仍然熱鬧,眾多億元級別的項目在各地紛紛取得重大進展。 項目投資規模涵蓋范圍廣,建設內容豐富多樣,應用領域主要集中在半導體及相關產業,從材料生產到設備制造,再到全產業園區的建設,碳化硅產業正在形成一條具有高效協同效應的產業鏈。 這些項目的推進反映出碳化硅產業...  [詳內文]

投資3.45億美元,MACOM擴建氮化鎵晶圓廠

作者 | 發布日期: 2025 年 01 月 17 日 18:48 |
| 分類: 功率
1月14日,美國射頻廠商MACOM宣布擬投資3.45億美元(折合人民幣約25.28億元),對其位于馬薩諸塞州和北卡羅來納州的半導體晶圓制造工廠進行全面升級。 具體來看,公司馬薩諸塞州工廠將擴建潔凈室,升級現有4英寸晶圓(涉及GaAs、GaN、硅和其他III-V材料)生產線,并引入...  [詳內文]

機器人,氮化鎵下一個風口?

作者 | 發布日期: 2024 年 12 月 20 日 18:00 |
| 分類: 產業 , 功率 , 氮化鎵GaN
氮化鎵(GaN)材料具有寬禁帶、高電子遷移率、高熱導率、高擊穿電壓、化學穩定性等特點,以及較強的抗輻射、抗高溫、抗高壓能力,這些特性使得氮化鎵在功率半導體器件、光電子器件以及射頻電子器件等領域具有廣闊的應用前景。 目前,功率氮化鎵在消費電子領域應用已漸入佳境,并正在逐步向各類應用...  [詳內文]

X-fab推出新一代碳化硅MOS工藝平臺

作者 | 發布日期: 2024 年 12 月 18 日 16:47 |
| 分類: 功率
12月17日,碳化硅(SiC)晶圓代工廠商X-fab推出了新一代XbloX平臺XSICM03。該平臺可推進SiC工藝技術在功率MOSFET的應用,并顯著降低單元間距,從而在不影響可靠性的前提下增加了每片晶圓芯片數量并改善導通電阻。 source:X-fab X-fab介紹,Xb...  [詳內文]

碳化硅器件封裝企業清連科技完成新一輪融資

作者 | 發布日期: 2024 年 12 月 17 日 16:56 |
| 分類: 產業 , 企業 , 功率
12月16日,據“清連科技QLSEMI”消息,北京清連科技有限公司(以下簡稱:清連科技)宣布已完成數千萬元新一輪融資,本輪融資新增股東馮源資本、哈勃科技以及元禾控股,老股東光速光合持續追投。 官微資料顯示,清連科技致力于提供高性能功率器件高可靠封裝解決方案,團隊依托納米金屬燒結...  [詳內文]

博世將在2026年開始生產8英寸碳化硅芯片

作者 | 發布日期: 2024 年 12 月 16 日 16:20 |
| 分類: 產業 , 功率
在新能源汽車、光儲充、軌道交通、高壓電網等產業的推動下,碳化硅(SiC)功率器件市場需求呈現持續增長態勢。TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示,預估2028年全球碳化硅功率器件市場規模有望達到91.7億美金(約668億人...  [詳內文]

16.8億,福建晶旭半導體氧化鎵芯片項目即將投產

作者 | 發布日期: 2024 年 12 月 13 日 19:59 | | 分類: 功率
12月9日,龍巖市融媒體中心發布消息稱,福建晶旭半導體科技有限公司(以下簡稱:晶旭半導體)二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產項目,已完成主體廠房建設,正在進行內外墻的裝修,預計年后進入機電暖通、安裝工程及精裝修工程。 據悉,該項目總投資16.8億元,建設136畝...  [詳內文]

Coherent擬擴建全球首個6英寸磷化銦生產線

作者 | 發布日期: 2024 年 12 月 12 日 17:50 |
| 分類: 功率
12月9日,高意(Coherent)宣布,公司根據《芯片與科學法案》與美國商務部簽署了一份備忘錄。后者擬投資3300萬美元,以支持Coherent現有70萬平方英尺的先進制造潔凈室的現代化改造和位于德克薩斯州謝爾曼工廠的擴建。 該項目將通過增加先進的晶圓制造設備,擴建全球首個6英...  [詳內文]