文章分類： 功率

8英寸碳化硅，如火如荼

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 14 日 15:00 |
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| 分類: 功率
近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動。功率半導體大廠英飛凌于8月8日宣布，已正式啟動位于馬來西亞新晶圓廠的第一階段，該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半導體晶圓廠，預計2025年開始量產。 碳化硅尺寸越大，單位芯片成本越低，故6英寸向...  [詳內文]

日本將新增一條SiC產線

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 05 日 18:10 |
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| 分類: 功率
據日媒報道，8月1日，碳和石墨產品綜合制造商東海碳素（Tokai Carbon）擬投資54億日元（折合人民幣約為2.7億元）在日本神奈川縣茅崎市建立一條多晶SiC晶圓專線，并預計將于2024年12月完成建設。 東海炭素開發的用于功率半導體的SiC晶圓，被稱為“層壓SiC晶圓”。層...  [詳內文]

第三代半導體13項標準有新進展

作者 | 發布日期: 2024 年 07 月 31 日 17:20 |
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| 分類: 功率
近日，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）官方微信消息，其標準化委員會（CASAS）公布了13項標準新進展，包括2項GaN HEMT動態導通電阻測試標準形成委員會草案、2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標準征求意見、9項SiC MOSFET技術標準已完成征求意見稿的編制。 ...  [詳內文]

德高化成GaN倒裝芯片LED封裝制造擴產項目開工

作者 | 發布日期: 2024 年 07 月 30 日 17:59 |
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| 分類: 功率
據天津經開區一泰達消息，近日，天津德高化成新材料股份有限公司的全資子公司天津德高化成科技有限公司（以下簡稱德高化成）在天津經開區的施工現場打下第一根樁，標志著德高化成第三代半導體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴產項目正式開工建設。 據悉，第三代半導體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴產...  [詳內文]

設備入場！三安半導體8英寸碳化硅提速

作者 | 發布日期: 2024 年 07 月 25 日 15:53 |
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| 分類: 功率
據三安半導體官微消息，7月24日，三安半導體舉行芯片二廠M6B設備入場儀式。這標志著三安碳化硅（SiC）項目二期通線在即，將為全面加速8英寸SiC產業布局，實現產線正式投產奠定良好基礎。 source：三安半導體 據介紹，湖南三安SiC項目總投資高達160億人民幣，旨在打造6...  [詳內文]

韓國首個1200V 氧化鎵SBD問世

作者 | 發布日期: 2024 年 07 月 24 日 16:30 |
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| 分類: 功率
7月22日，韓國化合物半導體公司Siegtronics宣布，公司已開發出可應用于高速開關的氧化鎵（Ga2O3）肖特基勢壘二極管（SBD）。 source：Siegtronics 據悉，氧化鎵是一種寬帶隙（WBG）材料，與碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相比，具有更寬帶隙和更高...  [詳內文]

悉智科技車規級碳化硅模塊項目正式投產

作者 | 發布日期: 2024 年 07 月 24 日 16:27 |
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| 分類: 功率
7月22日，蘇州悉智科技有限公司（以下簡稱“悉智科技”）宣布其首批車規級功率模塊量產產品正式下線投產。 source：悉智科技 據介紹，此次下線的首批量產模塊，是悉智科技自研的高端電驅碳化硅（SiC）塑封功率模塊產品。悉智科技表示，該產品已經贏得了國內外多家知名OEM廠商的認...  [詳內文]

130um，全球最薄碳化硅晶圓片問世

作者 | 發布日期: 2024 年 07 月 12 日 17:20 |
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| 分類: 功率
江蘇通用半導體有限公司（原：河南通用智能裝備有限公司，下文簡稱“通用半導體”）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研設備（碳化硅晶錠激光剝離設備）成功實現剝離出130um厚度超薄SiC晶 8英寸SiC晶錠激光全自動剝離設備（source：通用半導體） 資料顯示，通用...  [詳內文]

18臺碳化硅整線濕法設備，創微微電子再次中標

作者 | 發布日期: 2024 年 07 月 10 日 14:07 |
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| 分類: 功率
7月9日，光伏設備大廠捷佳偉創宣布，繼4月份半導體碳化硅整線濕法設備訂單并完成合同簽署后，近日公司子公司創微微電子（常州）有限公司（以下簡稱：創微微電子）再次斬獲另一家半導體頭部企業整線濕法設備訂單，目前已完成合同簽訂工作。 據介紹，此次簽訂的合同標的位于該客戶新產業園的碳化硅產...  [詳內文]