文章分類： 產業

碳化硅，跨入高速軌道

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 19 日 13:58 |
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| 分類: 產業
正如業界預期的那樣，目前碳化硅正邁入高速增長階段。觀察市場情況，碳化硅產業熱鬧不斷：英飛凌、意法半導體、天岳先進、三安光電、羅姆等大廠加速擴充碳化硅產能；英國Alan Anderson公司和印度大陸器件公司CDIL簽署合作協議，安森美與Entegris已開展合作，PVA TePl...  [詳內文]

涉及碳化硅功率模塊和外延設備，2個項目刷新“進度條”

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 16 日 18:00 |
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| 分類: 產業
近日，又有兩個碳化硅相關項目披露了最新進展，分別為瑞福芯科技車規級SiC半導體功率模塊產業化項目和納設智能南通新生產基地項目，兩個項目總投資超10億元。 車規級SiC半導體功率模塊產業化項目簽約 8月13日，據瑞福芯科技官微消息，瑞福芯科技總經理周旭光與協同創新基金管理有限公司董...  [詳內文]

新潔能、盛美上海、均勝電子、Veeco公布最新業績

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 13 日 18:00 |
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| 分類: 產業
近期，4家碳化硅相關廠商新潔能、盛美上海、均勝電子、Veeco公布了最新的業績報告，其中，新潔能、盛美上海、均勝電子均實現營收凈利雙增長。 新潔能上半年實現營收8.73億元，SiC MOSFET實現小規模銷售 8月12日晚間，新潔能公布了2024年半年度報告。報告顯示，2024年...  [詳內文]

涉及碳化硅設備和材料，2個項目披露新進展

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 12 日 18:00 |
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| 分類: 產業
碳化硅產業正在火熱發展當中，不斷有利好消息傳出。近日，又有2個碳化硅相關項目披露了最新進展，涉及碳化硅相關設備和材料。 圖片來源：拍信網正版圖庫 江蘇晶工申請擴建30畝碳化硅相關設備生產基地 8月11日，據南通日報消息，落戶于江蘇省南通市啟東市啟東經濟開發區的江蘇晶工半導體設備...  [詳內文]

納微半導體、MACOM、Qorvo公布最新業績

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 09 日 18:00 |
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| 分類: 產業
繼英飛凌和Axcelis之后，納微半導體、MACOM和Qorvo三家第三代半導體相關廠商近日也發布了最新的季度業績，3家企業季度營收均實現同比增長。 納微Q2營收同比增長13%，推出16款GaNFast充電器 8月5日，納微半導體公布了截至2024年6月30日的第二季度未經審計的...  [詳內文]

超31億！2個化合物半導體項目取得新進展

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 08 日 18:00 |
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| 分類: 產業
近日，2個化合物半導體項目披露了最新進展，分別為韓國特西氪公司總部及半導體設備項目和福建晶旭半導體科技有限公司二期項目，2個項目總投資超過31億元。 source：上杭融媒 韓國特西氪公司總部及半導體設備項目落戶江蘇江陰 8月7日，據“江陰發布”官微消息，韓國特西氪公司總部及半...  [詳內文]

“國家隊”下場，各國角逐三代半產業

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 07 日 18:00 |
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| 分類: 產業
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料被認為是當今電子電力產業發展的重要推動力，已在新能源汽車、光儲充、智能電網、5G通信、微波射頻、消費電子等領域展現出較高應用價值，并具有較大的遠景發展空間。以碳化硅為例，根據TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power ...  [詳內文]

總投資超36億，3個化合物半導體項目進度刷新

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 05 日 18:00 |
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| 分類: 產業
近日，中微公司臨港產業化基地、格創·華芯半導體園區、艾銳光電化合物半導體平臺項目等3個化合物半導體相關項目披露了最新進展。 中微公司臨港產業化基地正式啟用 8月2日，據中微公司官微消息，中微公司宣布其臨港產業化基地正式啟用。據悉，中微公司臨港產業化基地占地約157畝、總建筑面積約...  [詳內文]

IQE公布子公司上市計劃，氮化鎵產業熱度再升溫

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 01 日 18:38 |
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| 分類: 產業
布局資本市場一直以來都是企業進一步擴大規模和影響力的重要途徑之一，從融資到上市，企業可獲得的資金支持以及可利用的優勢資源逐步提升。 以SiC/GaN產業為例，據集邦化合物半導體觀察，今年以來超過10家相關企業推進上市進程、更新上市狀態或公布上市計劃。在GaN領域，繼英諾賽科、臺亞...  [詳內文]

日本團隊不使用銥坩堝研制出直徑約2英寸氧化鎵晶體

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 01 日 18:00 |
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| 分類: 產業
作為一種新興的超寬禁帶半導體材料，氧化鎵具備大禁帶寬度（4.8eV）、高臨界擊穿場強（8MV/cm）和良好的導通特性，與碳化硅和氮化鎵相比，氧化鎵在大功率和高頻率應用中具有優勢，且導通電阻更低，損耗更小。 目前，中國、日本、韓國等國的研究機構和團隊在氧化鎵材料的技術研發和產業化方...  [詳內文]