Author Archives: huang, Mia

碳化硅，跨入高速軌道
作者 |發布日期 2024 年 08 月 19 日 13:58 | 分類 產業
正如業界預期的那樣，目前碳化硅正邁入高速增長階段。觀察市場情況，碳化硅產業熱鬧不斷：英飛凌、意法半導體、天岳先進、三安光電、羅姆等大廠加速擴充碳化硅產能；英國Alan Anderson公司和印度大陸器件公司CDIL簽署合作協議，安森美與Entegris已開展合作，PVA TePl...  [詳內文]

37.1萬片，天科合達擴產6/8英寸碳化硅襯底
作者 |發布日期 2024 年 08 月 19 日 8:41 | 分類 企業
8月13日，北京市生態環境局公示了天科合達第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設二期項目（以下簡稱“二期項目”）環評審批。 文件指出，隨著北京天科合達創新能力、市場占有率的不斷提升，行業內影響力不斷增強，計劃擴大生產規模，擬在現有廠區西側地塊建設二期項目。 二期項目位于北京市大興...  [詳內文]

印度或將分別新建一座碳化硅和氮化鎵晶圓廠
作者 |發布日期 2024 年 08 月 15 日 17:50 | 分類 功率
8月14日，據外媒報道，L&T Semiconductor Technologies（LTSCT）計劃投資100億~120億美元，在未來5到10年內在印度建立三個半導體制造工廠，分別專注于硅、碳化硅和氮化鎵技術。 LTSCT為L&T的全資子公司，是一家無晶圓廠公司...  [詳內文]

年產4萬片，SweGaN氮化鎵外延廠開始出貨
作者 |發布日期 2024 年 08 月 14 日 15:58 | 分類 企業
8月13日，瑞典企業SweGaN宣布，公司生產碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）晶圓的新工廠已開始出貨，產品將用于下一代5G先進網絡高功率射頻應用。 資料顯示，SweGaN新工廠位于瑞典林雪平，于2023年3月動工建設，可年產4萬片4/6英寸碳化硅基氮化鎵外延片。SweGaN...  [詳內文]

2024 全球GaN Power Device市場分析報告
作者 |發布日期 2024 年 08 月 14 日 15:55 | 分類 報告
一、概況 -全球GaN Power Device產業格局 -全球GaN Power Device供應鏈情形 -全球GaN Power Device產業并購動態 -全球主要半導體廠商布局 二、GaN Power Device產業鏈生態分析 -GaN Power Device產業發展...  [詳內文]

TrendForce：2030年全球GaN功率元件市場規模有望升至43.76億美元
作者 |發布日期 2024 年 08 月 14 日 15:55 | 分類 數據
根據TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術傾注更多資源，功率GaN產業的發展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，C...  [詳內文]

8英寸碳化硅，如火如荼
作者 |發布日期 2024 年 08 月 14 日 15:00 | 分類 功率
近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動。功率半導體大廠英飛凌于8月8日宣布，已正式啟動位于馬來西亞新晶圓廠的第一階段，該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半導體晶圓廠，預計2025年開始量產。 碳化硅尺寸越大，單位芯片成本越低，故6英寸向...  [詳內文]

80億，天域半導體碳化硅外延項目即將試產
作者 |發布日期 2024 年 08 月 13 日 18:31 | 分類 企業
8月13日，據東莞發布官微消息，廣東天域半導體總部和生產制造中心項目即將試產。 資料顯示，該項目總投資80億，位于松山湖生態園，總占地面積約114.65畝、建筑面積約24萬平方米，建設內容包括廠房、研發樓、宿舍以及配套設施等，建成后用于生產6英寸/8英寸碳化硅（SiC）外延晶片，...  [詳內文]

助力碳化硅/氮化鎵，南通市出臺新政策
作者 |發布日期 2024 年 08 月 12 日 17:20 | 分類 企業
8月7日，南通市人民政府印發《關于加快培育發展未來產業的實施意見》（以下簡稱《實施意見》），提出布局六大未來產業，聚焦7個科創細分賽道，全力打造長三角未來產業創新高地。 《實施意見》明確，重點布局未來空天、未來海洋、未來能源、未來材料、未來通信、未來健康六大未來產業方向，謀劃布局...  [詳內文]

英飛凌全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動，影響幾何？
作者 |發布日期 2024 年 08 月 12 日 13:46 | 分類 企業
近日，英飛凌宣布其位于馬來西亞的新工廠（Kulim 3）一期項目正式啟動運營，建設完成后該工廠將成為全球最大且最具競爭力的8英寸碳化硅功率半導體晶圓廠。 source：英飛凌 據了解，該工廠的一期項目投資額高達20億歐元，將重點生產碳化硅功率半導體，并涵蓋氮化鎵外延的生產。目前...  [詳內文]