8月18日,WaveLoad對外宣布,公司計劃明年年初量產氮化鎵外延片。
WaveLoad已在韓國京畿道華城市建成占地300平方米、潔凈度達1000級的無塵室,可批量生產氮化鎵外延片。該設施可生產4英寸和8英寸氮化鎵外延片,產能分別為2,000片/月和500片/月。目前,WaveLoad正在向多個客戶提供樣品,以便對批量生產的產品性能和質量進行評估。
WaveLoad產品主要用于有源電子掃描陣列(AESA)雷達、5G移動通信和衛星通信等領域。
圖片來源:拍信網正版圖庫
WaveLoad計劃先從高頻、高輸出功率放大器半導體所需的4英寸碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC)外延片開始量產,后續再將其產品線擴展到用于高頻、低輸出功率放大器半導體的8英寸硅基氮化鎵(GaN on Si)外延片。
此外,用于電動汽車和新能源發電與存儲系統(ESS)所需功率轉換的8英寸硅基氮化鎵外延片計劃于2026年底前量產。
資料顯示,WaveLoad由LG Innotek LED業務部門前主管Jun-Oh Song于2019年底成立。由于氮化鎵外延片上需要生長的襯底和材料各不相同,這增加了人們使用MOCVD設備的難度,但WaveLoad的優勢在于其工程師曾在LG Innotek量產過用于LED發光設備的氮化鎵外延片。目前,該公司目前已擁有約160項專利。(文:集邦化合物半導體Morty整理)
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