臺系GaN企業鴻鎵科技打進日系供應鏈

作者 | 發布日期 2024 年 01 月 04 日 16:45 | 分類 企業

鴻鎵科技專注于氮化鎵(GaN)研發技術,提供節能省電的功率半導體組件與終端產品。深耕布局日本GaN快充市場、為中國臺灣地區首家打入要求嚴格的日商供應鏈公司; 研發技術也獲得電源大廠環隆科技所采用。鴻鎵科技提供的65W GaN快充,通過了日本PSE認證。鴻鎵科技亦積極布局半導體領域,研發新材料,最新抗靜電技術已打入世界級封測大廠,2024年中便有望漸收成效。

鴻鎵科技攜手日本電信集團子公司NTT-AT,將GaN快充導入日本市場販售,為中國臺灣地區第一家GaN廠商與日本大廠合作; 雙方持續擴大合作領域,開發新款100W GaN快充,估計2024年問世。未來將會與手機大廠一同開發,將GaN功率元件導入旗下品牌快充、積極跨進國際市場。

在半導體技術部分,鴻鎵亦積極搶進。隨著AI、電動車、低軌衛星應用,半導體元件全面導入10nm以下先進制程,然而在封裝過程中,將遇到嚴重靜電效應,生產良率降低等問題。鴻鎵科技推出全新領先全球耐高溫300°C、具高耐磨特性的抗靜電技術,不僅可應用于GaN封裝制程良率提升,同時為先進半導體產業市場提供高效率、高可靠度的抗靜電解決方案。

鴻鎵抗靜電鍍膜于半導體封裝模具及治具,實現可平面、立體鍍膜成果(圖來源:鴻鎵科技)

鴻鎵科技指出,公司研發團隊長期致力半導體新材料研發。最新一代抗靜電技術,可于金屬材料表面形成一層致密、耐高溫的抗靜電層,于表面生成高耐磨且壽命長的納米級鍍膜,精準控制表面電阻值在10?到10? Ω區間,有效防止靜電的累積。該技術不僅在生產過程中提供可靠的防御,還能確保半導體設備在使用中不會受到靜電的影響,提高產品可靠度,以及延長設備使用壽命。

鴻鎵進一步分析,此抗靜電技術除特性優于現有抗靜電技術外,且不受尺寸限制,因此成本相較于現有抗靜電鍍膜技術具競爭力,并可廣泛應用于半導體制造的各制程,包括制造、封裝和測試等環節; 目前已送樣封測大廠測試中,預估今年在先進鍍膜業績,便會迅速看到成長。

來源:臺灣中時新聞網

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。